半導體型壓力傳感器結構及操作說明

發(fā)布日期：2022-08-12      瀏覽次數(shù)：1057

半導體型壓力傳感器結構及操作說明



傳感器芯片的結構

硅片受壓部（硅膜片）與通常的IC制造工序一樣，通過雜質(zhì)擴散形成硅規(guī)。
當對硅片施加壓力時，儀表電阻會根據(jù)撓度而變化，并轉(zhuǎn)換為電信號。（壓阻效應）
該量規(guī)的特點是量規(guī)系數(shù)大。（金屬量規(guī)是2-3，而硅量規(guī)是幾個10-100）。
結果，可以獲得高輸出，使得可以制造厚膜片，這提高了壓力傳感器的耐壓性。

目標型號

半導體型壓力傳感器
VDP4、VSW2（低壓用）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構和操作說明

半導體膜片壓力傳感器由與被測介質(zhì)直接接觸的高耐腐蝕性金屬膜片（相當于哈氏合金C-22、SUS316L等）和檢測壓力的硅片（硅膜片）構成通過封閉的硅油。），采用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L隔膜（或相當于哈氏合金C-22）通過壓力入口直接與測量介質(zhì)接觸，可以穩(wěn)定測量未浸入其中的介質(zhì)（空氣、水、油等）。[連接螺紋為 G3/8 時，使用 O 型圈（氟橡膠）密封管道。] ]

特征

• 我們可以制造可以測量正壓、負壓、復合壓和絕壓的各種傳感器元件。

• 與介質(zhì)直接接觸的受壓部分材質(zhì)相當于哈氏合金C-22，可采用SUS316L制造，耐腐蝕性能優(yōu)異。

• 由于檢測壓力的硅芯片的厚隔膜，具有出色的耐壓性

目標型號

半導體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等。