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日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1927

更新日期:2024-03-22

簡(jiǎn)要描述:

日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
燃料電加熱鍋爐結(jié)構(gòu)形式立式
出口壓力高壓

日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

目的 :用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設(shè)備。
通過(guò)增加氨氣、各種CVD反應(yīng)氣體、升華固體前驅(qū)體、液體前驅(qū)體的引入單元,
可應(yīng)用于氮化、硫?qū)倩铮ǘ蚧fMoS2等)層狀材料沉積等。
特征 :
  •  配備液體燃料(乙醇)引入系統(tǒng),可用于無(wú)法安裝烴類(lèi)氣體的場(chǎng)所。

  •  3系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng),可以進(jìn)行精確的氣體控制。

  •  真空排氣系統(tǒng)是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,可用作真空爐或氣氛爐。

  •  緊湊而堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì),易于安裝在桌面實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)上。

  •  高度可擴(kuò)展且易于處理任何類(lèi)型的處理。

LIB電池用Si負(fù)極材料上的碳涂層

 

二硫化鉬薄膜

長(zhǎng) CNT/Si 的 SEM 圖像

粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

主要規(guī)格

基本配置管式爐正常使用溫度400-1000℃
爐內(nèi)尺寸60mmφ×L260mm
溫度控制1區(qū)可編程溫度控制器
外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
電容700W
芯管材料石英
尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
氣體控制質(zhì)量流量控制器
引入氣體類(lèi)型

載氣:N2 或 Ar

還原氣體:H2

烴類(lèi)氣體:C2H2 或 C2H4 或 CH4

真空計(jì)波登管真空計(jì)
排氣泵旋轉(zhuǎn)泵
外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
液體物料引入系統(tǒng)
催化劑前驅(qū)體引入機(jī)制
外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm


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